| Item type |
共通(1) |
| 公開日 |
2022-10-03 |
| タイトル |
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タイトル |
Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design |
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言語 |
en |
| 作成者 |
梁, 剣波
小林, 礼佳
| en |
Kobayashi, Ayaka
Osaka City Univeresity
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| ja-Kana |
コバヤシ, アヤカ
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| ja |
小林, 礼佳
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Search repository
清水, 康雄
大野, 裕
金, 聖祐
小山, 浩司
| en |
Koyama, Koji
Adamant Namiki Precision Jewel Co. Ltd.
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| ja-Kana |
コヤマ, コウジ
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| ja |
小山, 浩司
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Search repository
嘉数, 誠
永井, 康介
重川, 直輝
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| 権利情報 |
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言語 |
en |
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権利情報 |
This is the peer reviewed version of the following article: Advanced Materials. Vol.33, Issu.43, 2104564, which has been published in final form at https://doi.org/10.1002/adma.202104564. This article may be used for non-commercial purposes in accordance with Wiley Terms and Conditions for Use of Self-Archived Versions. This article may not be enhanced, enriched or otherwise transformed into a derivative work, without express permission from Wiley or by statutory rights under applicable legislation. Copyright notices must not be removed, obscured or modified. The article must be linked to Wiley's version of record on Wiley Online Library and any embedding, framing or otherwise making available the article or pages thereof by third parties from platforms, services and websites other than Wiley Online Library must be prohibited. |
| 主題 |
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言語 |
ja |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
窒化ガリウム |
| 主題 |
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言語 |
ja |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
ダイヤモンド |
| 主題 |
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言語 |
ja |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
表面活性化接合法 |
| 主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
GaN |
| 主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
diamond heterointerface |
| 主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
residual stress |
| 主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
sp^2 ratio |
| 主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
intensity gradients |
| 主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
surface activated bonding |
| 内容記述 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
研究グループは、窒化ガリウムとダイヤモンドの直接接合に成功しました。窒化ガリウムを利用したトランジスタは、シリコンに代わる次世代半導体として、携帯電話の基地局などで幅広く使用されているものの、動作時に極度に温度上昇するため性能が大きく制限されています。加えて大型の放熱部材も必要です。研究グループは、地球上で最も熱伝導率が高く、最も効率的に熱を逃すことができるダイヤモンドと窒化ガリウムとの常温での直接接合に成功し、直接接合が1,000℃の熱処理にも耐えることを実証しました。更に、接合に際してダイヤモンドの結晶構造が壊れるものの、熱処理することで再結晶化することを明らかにしました。これは界面で高い熱伝導率が保持することを示します。今回の成果により窒化ガリウムトランジスタで発生する温度上昇をこれまでの1/4倍程度まで抑制でき、大幅な省エネにつながると予測されます。今後、窒化ガリウムトランジスタの使用範囲が拡大し、レーダーやインバータなどの大電力用途にも使用できるとともに、持続可能な社会の実現にも貢献すると期待されます。 |
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言語 |
ja |
| 内容記述 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
The direct integration of gallium nitride (GaN) and diamond holds much promise for high-power devices. However, it is a big challenge to grow GaN on diamond due to the large lattice and thermal-expansion coefficient mismatch between GaN and diamond. In this work, ... |
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言語 |
en |
| 内容記述 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
This work was supported by the "Research and development of high thermal stability interface by direct bonding of diamond" project in the Feasibility Study Program of New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO) (contract number: 19101242-0), JSPS KAKENHI Grant Number JP20K04581, and the Osaka City University (OCU) Strategic Research Grant 2020 for top basic research. |
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言語 |
en |
| 出版者 |
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出版者 |
Wiley |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
eng |
| 記事種別等 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
Research Article |
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言語 |
en |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| 出版タイプ |
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出版タイプ |
AO |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce |
| 識別子 |
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識別子 |
https://doi.org/10.1002/adma.202104564 |
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識別子タイプ |
DOI |
| 関連情報 |
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関連タイプ |
isVersionOf |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
https://doi.org/10.1002/adma.202104564 |
| 関連情報 |
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識別子タイプ |
NCID |
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関連識別子 |
AA11613845 |
| 書誌情報 |
en : Advanced Materials
巻 33,
号 43,
p. 2104564,
発行日 2021-10-28
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| 収録物識別子 |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1521-4095 |
本文 (2.8 MB)
