| Item type |
共通(1) |
| 公開日 |
2022-03-30 |
| タイトル |
|
|
タイトル |
AlGaN/GaN/3C-SiC on diamond HEMTs with thick nitride layers prepared by bonding-first process |
|
言語 |
en |
| 作成者 |
香川, 諒
川村, 啓介
坂井田, 佳紀
大内, 澄人
浦谷, 泰基
清水, 康雄
大野, 裕
永井, 康介
梁, 剣波
重川, 直輝
|
| 権利情報 |
|
|
言語 |
en |
|
権利情報 |
This is the Accepted Manuscript version of an article accepted for publication in Applied Physics Express. IOP Publishing Ltd is not responsible for any errors or omissions in this version of the manuscript or any version derived from it. The Version of R ecord is available online at https://doi.org/10.35848/1882 0786/ac5ba7 |
| 主題 |
|
|
言語 |
ja |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
ダイヤモンド |
| 主題 |
|
|
言語 |
ja |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
窒素ガリウム |
| 主題 |
|
|
言語 |
ja |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
トランジスタ |
| 主題 |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
diamond |
| 主題 |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
GaN |
| 内容記述 |
|
|
内容記述タイプ |
Abstract |
|
内容記述 |
研究グループは、ダイヤモンドに接合された窒化ガリウムを熱加工し、トランジスタの作製に成功するとともに放熱性の向上を実証しました。窒化ガリウムを利用したトランジスタは、シリコンに代わる次世代半導体として、携帯電話の基地局などで幅広く使用されているものの、動作時の発熱により性能が大きく制限されており、大型の放熱部材も必要とされていました。研究グループは、2021年9月に世界で初めてGaNとダイヤモンドの直接接合に成功し、1,000 ℃の熱処理にも耐えることを実証しました。今回の研究では、ダイヤモンドとの直接接合に成功した窒化ガリウムに約800℃の熱処理を行うことで、放熱性に優れたトランジスタの作製に成功しました。地球上で最も熱伝導率が高く、最も効率的に熱を逃すことができるダイヤモンドを使用しているため、シリコン上でのトランジスタと比べて放熱性が向上していること、また、窒化ガリウム層の品質が劣化しないことも明らかとなりました。本研究成果により、接合後にトランジスタを作製することでダイヤモンド上窒化ガリウムの大面積化が進展し、レーダーやインバータなどの大電力用途にも使用範囲が拡大することが期待されます。 |
|
言語 |
ja |
| 内容記述 |
|
|
内容記述タイプ |
Abstract |
|
内容記述 |
We fabricate AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) on diamond substrates by transferring 8 μm heterostructures grown on 3C-SiC/Si templates and subsequently applying the conventional device process steps. No exfoliation of 3C-SiC/diamond bonding interfaces is observed during 800 °C annealing, the essential step for forming ohmic contacts on nitrides. The thermal resistance of HEMTs on diamond is 35% of that of HEMTs on Si, which is assumed to be the origin of smaller negative drain conductance in on-diamond HEMTs. The results imply that the bonding-first process is applicable for fabricating low-thermal-resistance HEMTs with thick nitride layers. |
|
言語 |
en |
| 出版者 |
|
|
出版者 |
IOP Publishing |
|
言語 |
en |
| 言語 |
|
|
言語 |
eng |
| 記事種別等 |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
LETTER |
|
言語 |
en |
| 資源タイプ |
|
|
資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
|
資源タイプ |
journal article |
| 出版タイプ |
|
|
出版タイプ |
AO |
|
出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce |
| 識別子 |
|
|
識別子 |
https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac5ba7 |
|
識別子タイプ |
DOI |
| 関連情報 |
|
|
関連タイプ |
isVersionOf |
|
|
識別子タイプ |
DOI |
|
|
関連識別子 |
https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac5ba7 |
| 関連情報 |
|
|
|
識別子タイプ |
NCID |
|
|
関連識別子 |
AA12295133 |
| 書誌情報 |
en : Applied Physics Express
巻 15,
号 4,
p. 041003,
発行日 2022-03-17
|
| 収録物識別子 |
|
|
収録物識別子タイプ |
ISSN |
|
収録物識別子 |
1882-0786 |
本文 (1.2 MB)
